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　一、前言

　　RFID電子標(biāo)簽根據(jù)標(biāo)簽內(nèi)部供電有無(wú)分為無(wú)源標(biāo)簽，有源標(biāo)簽，半無(wú)源標(biāo)簽有時(shí)也稱(chēng)為半有源標(biāo)簽三類(lèi)。

　　無(wú)源電子標(biāo)簽：標(biāo)簽內(nèi)部沒(méi)有電池，其工作能量均需讀寫(xiě)器發(fā)射的電磁場(chǎng)來(lái)提供，重量輕、體積小、壽命長(zhǎng)、成本低，可制成各種卡片，是目前最流行的電子標(biāo)簽形式，它的識(shí)別距離比有源電子標(biāo)簽要小，而且需要較大的讀寫(xiě)器發(fā)射功率。

　　有源電子標(biāo)簽：通過(guò)標(biāo)簽內(nèi)部的電池來(lái)供電，不需要讀寫(xiě)器提供能量來(lái)啟動(dòng)，標(biāo)簽可主動(dòng)發(fā)射電磁信號(hào)，識(shí)別距離較長(zhǎng)，通?？蛇_(dá)幾十米甚至上百米，缺點(diǎn)是成本高壽命有限，而且不易做成薄卡。

　　半無(wú)源電子標(biāo)簽：內(nèi)有電池，但電池只對(duì)標(biāo)簽內(nèi)部電路供電，并不主動(dòng)發(fā)射信號(hào)，其能量傳遞方式與無(wú)源系統(tǒng)類(lèi)似，因此其工作壽命比一般有源系統(tǒng)標(biāo)簽要長(zhǎng)許多，而且半無(wú)源標(biāo)簽的靈敏度很高，一般為-20到-30dBm，所以這里當(dāng)測(cè)試距離比較短的時(shí)候，我們就需要在芬蘭的標(biāo)簽性能測(cè)試儀發(fā)射端增加衰減，因?yàn)榘霟o(wú)源標(biāo)簽的激活靈敏度很高，在讀寫(xiě)器正常的發(fā)射功率范圍內(nèi)均能激活，如不加衰減無(wú)法測(cè)試出其閾值。

　　二、測(cè)試半無(wú)源標(biāo)簽的方法

　　我們一般用標(biāo)簽性能測(cè)試儀測(cè)試無(wú)源標(biāo)簽時(shí)，會(huì)在接收端口加上一個(gè)6dB的衰減器，這里測(cè)試半無(wú)源標(biāo)簽時(shí)要把衰減器轉(zhuǎn)移到發(fā)射端口，連接如下圖所示：

　　發(fā)射端口發(fā)射出信號(hào)先經(jīng)過(guò)衰減器，衰減器連著環(huán)形器，沿環(huán)形器方向下一個(gè)端口連接天線，環(huán)形器最后一個(gè)端口連接測(cè)試主機(jī)的接收端口。

　　之后，用軟件更新一下固件，再用參考標(biāo)簽對(duì)環(huán)境進(jìn)行校準(zhǔn)即可開(kāi)始測(cè)試，這個(gè)系統(tǒng)能測(cè)到標(biāo)簽激活靈敏度大約可以?xún)?yōu)于-25dBm，測(cè)試距離為30公分。

　　如果需要測(cè)試更低的功率值，也就是說(shuō)某個(gè)半無(wú)源電子標(biāo)簽的靈敏度很高，這種情況我們可以適當(dāng)?shù)卦黾訙y(cè)試距離，或者在標(biāo)簽性能測(cè)試儀的發(fā)射端口增加衰減值更高的衰減器，還有一種辦法就是我們可以用可調(diào)衰減器接在標(biāo)簽性能測(cè)試儀的發(fā)射端口。

　　三、結(jié)論

　　芬蘭Voyantic的標(biāo)簽性能測(cè)試儀功能十分豐富，這里可以靈活運(yùn)用射頻器件的不同連接方式以達(dá)到測(cè)試不同種類(lèi)標(biāo)簽的作用，并且測(cè)試結(jié)果可以用圖表的形式保存記錄，其連接簡(jiǎn)單，測(cè)試精度高，使用方便。